Amplificateur à faible bruit (LNA)

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Amplificateur à faible bruit (LNA)

Amplificateur à faible bruit AL36 GaAs pHEMT MMIC

GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier

Amplificateur à faible bruit AL36 GaAs pHEMT MMIC

Principales caractéristiques

● Carte d'évaluation ultra-faible NF : 0,30 dB à 850 MHz, 0,40 dB à 1 850 MHz, 0,50 dB à 2 500 MHz, 0,75 dB à 3 600 MHz
● Hautes performances OIP3 : >+34 dBm sur 700 à 3 800 MHz
● Courant d'alimentation réglable de 30 à 100 mA
● Tension de polarisation flexible : 3 à 5 V
● Biais actif stable en température et en processus
● Boîtier DFN miniature (8 broches, 2 x 2 mm) (MSL1 à 260 C selon JEDEC J-STD-020)

L'AL36 de Sanland est un amplificateur à faible bruit (LNA) GaAs MMIC économique et facile à utiliser. Le LNA présente un faible bruit et une linéarité élevée obtenue grâce à l'utilisation du processus pHEMT en mode d'amélioration GaAs 0,25 um. Il est logé dans un boîtier miniature Quad-Flat-Non-Lead (QFN) à 8 broches de 2,0 x 2,0 x 0,75 mm3. Le circuit de polarisation active interne offre des performances stables en cas de variation de température et de processus. L'appareil offre la possibilité d'ajuster de manière externe le courant d'alimentation. La tension d'alimentation est appliquée à la broche RFOUT/VDD via une inductance d'arrêt RF. Les broches RFIN et RFOUT/VDD doivent être bloquées en courant continu pour garantir un bon fonctionnement. L'AL36 fonctionne dans la gamme de fréquences de 0,7 à 3,8 GHz en utilisant une disposition commune et des mélodies spécifiques à une bande.

Taper En aval
Fréquence minimale (GHz) 0,7
Fréquence maximale (GHz) 3.8
Gain (dB) 15.7
S11(dB)
-11
S22(dB)
-19
NF(dB) 0,75
Tension (V) 3-5
Courant (mA) 30-100
Type d'emballage QFN
RoHS Oui
Sans plomb Oui
Sans halogène Oui ou non

 

Applications majeures

  • Stations de base macro et micro LTE, GSM, WCDMA, HSDPA
  • Récepteurs à très faible bruit en bandes L et S
  • Répéteurs cellulaires, DAS et RRH/RRU
  • Applications d'émetteur-récepteur haute température jusqu'à +105 °C

 

 

 

 

 

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