Amplificateurs MMIC à faible bruit · GaAs pHEMT

Amplificateurs à faible bruit pour étages d'entrée RF à large bande

Les amplificateurs à faible bruit GaAs MMIC de SANLAND combinent faible bruit, gain élevé et linéarité élevée pour des conceptions compactes de récepteurs RF et d'étages d'entrée.

Le portefeuille présenté couvre les infrastructures cellulaires, les réseaux CATV, les systèmes 5 GHz et les applications ONU, avec des boîtiers DFN compacts et un fonctionnement sur une seule alimentation.

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FAIBLE BRUIT

Niveau de bruit (NF) aussi bas que 0,30 dB

HAUT DÉBIT

Options disponibles jusqu'à 8,5 GHz

INTÉGRATION COMPACTE

Boîtiers DFN jusqu'à 1,5 × 1,5 mm

COMPARAISON DE PRODUITS

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Comparez la couverture de fréquence, le gain, le facteur de bruit, l'OIP3, le P1dB, les exigences d'alimentation et la taille du boîtier.

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PRODUIT	CARACTÉRISTIQUES RF			LINÉARITÉ		PUISSANCE ET ENSEMBLE
Numéro de pièce Amplificateur MMIC à faible bruit	Fréquence GHz	Gain typique dB	Figure de bruit dB	OIP3 dBm	P1dB typique dBm	Fournir V / mA	Emballer
AL34 Fiche technique PDF ↗	1,5–2,5 0,1–1,2	18 18	0,55 1	35 35	22 21	5 V 55 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL36 Fiche technique PDF ↗	0,7–3,8	26 à 850 MHz 21,5 à 1850 MHz 19 à 2500 MHz 15,7 à 3600 MHz	0,30 à 850 MHz 0,40 à 1850 MHz 0,50 à 2500 MHz 0,75 à 3600 MHz	34	21	3–5 V 30–100 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL37Fiche technique PDF ↗	0,7–3,8	26 à 850 MHz 21,5 à 1850 MHz 19 à 2500 MHz 15,7 à 3600 MHz	0,30 à 850 MHz 0,40 à 1850 MHz 0,50 à 2500 MHz 0,75 à 3600 MHz	34	21	3–5 V 30–100 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL411Fiche technique PDF ↗	0,6–4,2	22	0,65 à 2,6 GHz 0,7 à 3,6 GHz	35	19	5 V 65 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL415 Fiche technique PDF ↗	0,6–6	20	0,95 à 5,5 GHz	34	17	5 V 60 mA	DFN 2 × 2, 8L
SL16 Fiche technique PDF ↗	0,4–8,5	21	1,8 à 5 GHz	28	18	5 V 62 mA	DFN 2 × 2, 8L
SL18 Fiche technique PDF ↗	0,4–8,5	21	1,8 à 5 GHz	28	18	3,3 V 72 mA	DFN 2 × 2, 8L
SL5404Fiche technique PDF ↗	4,9–5,9	13	1,2 à 4,9–5,9 GHz	20	9	3,3 V 13 mA	DFN 1,5 × 1,5, 6L

CARACTÉRISTIQUES

Sans plomb, conforme à la norme RoHSPour une intégration de produits respectueuse de l'environnement.

Gain stable en fonction de la températureAssure des performances RF constantes quelles que soient les conditions de fonctionnement.

Protection contre les décharges électrostatiques de 1 000 V, classe 1CCaractéristique de protection du dispositif définie.

Fonctionnement à partir d'une seule sourceSimplifie l'architecture d'alimentation et l'intégration frontale RF.

APPLICATIONS

01Réseau de télévision par câble

02Réseau cellulaire, GSM, UMTS, 5 GHz

03ONU

CONCEPTION DES ALUMINEURS

Équilibrer la sensibilité, le gain et la linéarité dans l'étage d'entrée RF

Les options LNA de SANLAND prennent en charge les conceptions de récepteurs à faible bruit pour les systèmes cellulaires, CATV, ONU et sans fil à large bande.

QUELS ÉLÉMENTS COMPARER

Figure de bruitEssentiel pour préserver la sensibilité du récepteur.

GagnerConfigure l'amplification du signal en amont avant les étages suivants.

OIP3 et P1dBIndiquez la linéarité et la marge RF disponible.

Fournitures et emballagesVérifier les besoins en polarisation et les contraintes d'intégration sur circuit imprimé.

TECHNOLOGIE ET INTÉGRATION

MMIC pHEMT GaAsPlateforme semi-conducteur à faible bruit pour étages de réception RF.

DFN compactBoîtiers discrets pour les circuits imprimés RF à haute densité.

Fourniture uniqueSimplifie l'intégration des polarisations et du système d'alimentation.

Options haut débitPrend en charge les conceptions s'étendant aux bandes RF multi-GHz.

AMPLIFICATEURS À FAIBLE BRUIT MMIC

Discutez de vos besoins en LNA

Veuillez indiquer vos besoins en matière de plage de fréquences, de gain, de facteur de bruit, de linéarité, d'alimentation et de conditionnement.
Notre équipe RF vous recommandera un LNA SANLAND adapté à votre conception.

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