Principales caractéristiques
● Puissance moyenne : 27 dBm P1dB à 2,7 GHz |
● Excellente linéarité : 45 dBm OIP3 à 2,7 GHz |
● Gain élevé : 14 dB à 2,7 GHz |
● Haute efficacité : 5 V/125 mA |
● Contrôle de biais actif sur puce |
● Emballage SOT89 sans plomb/vert/conforme RoHS |
● ESD 1 000 V HBM |
Bloc de gain en cascade pour MMIC AG55 HBT
L'AG55 de Sanland est un MMIC à transistor bipolaire à hétérojonction GaAs (HBT) à haut rendement logé dans un boîtier en plastique montable en surface à faible coût. Ces MMIC HBT sont fabriqués à l'aide d'une technologie de croissance épitaxiale par faisceau moléculaire qui produit des performances fiables et constantes d'une tranche à l'autre et d'un lot à l'autre. Ces amplificateurs sont spécialement conçus pour être utilisés comme dispositifs de pilotage pour les équipements d'infrastructure dans les applications cellulaires 400-4 000 MHz, ISM, WLL, PCS, WCDMA. Sa haute linéarité en fait un choix idéal pour les applications multiporteuses ainsi que numériques.
Taper | En aval |
Fréquence minimale (GHz) | 0,4 |
Fréquence maximale (GHz) | 4.0 |
Gain (dB) | 12,0 |
Perte de retour d'entrée (dB) | -18 |
Perte de retour de sortie(dB) | -dix |
NF(dB) | 6.5 |
Tension (V) | 5 |
Courant (mA) | 250 |
Type d'emballage | SOT-89 |
RoHS | Oui |
Sans plomb | Oui |
Sans halogène | Oui ou non |
Applications majeures
Caractéristiques électriques pour l'application
Paramètre | spécification | Unités | Remarques | ||
Min. | Typ. | Max. | |||
Fréquence | 0,4 | 4.0 | GHz | ||
Gagner | 19 | 21 | 23 | dB | 850MHz |
14 | 15,5 | dB | 1960MHz | ||
13 | 14 | dB | 2700MHz | ||
12 | dB | 3500MHz | |||
P-1dB | 26 | 24,5 | dBm | 850MHz | |
28 | dBm | 1960MHz | |||
27 | dBm | 2700MHz | |||
25,5 | dBm | 3500MHz | |||
OIP3 | 40 | 44 | dBm | 850 MHz | |
40 | 44 | dBm | 1960 MHz | ||
45 | dBm | 2700MHz | |||
43 | dBm | 3500MHz | |||
Saisir retour perte | -dix | -15 | dB | 850 MHz | |
-17 | dB | 1960 MHz | |||
-13 | dB | 2700MHz | |||
-18 | dB | 3500MHz | |||
Sortir retour perte | -dix | dB | |||
Isolation inversée | -25 | dB | |||
NF | 5.0 | 6.5 | dB | ||
Vs | 5.0 | 5.5 | V | ||
IC | 115 | 126 | 140 | mA | |
Conditions de test : Vs = 5 V ID = 126 mA Typ. Espacement des tonalités OIP3 = 1 MHz, Pout par tonne = +5 dBm TL = 25 ℃ ZS = ZL = 50 Ohms |