Principales caractéristiques
| ● Facteur de bruit de 0,4 dB à 900 MHz |
| ● Sortie 35 dBm IP3 à 900 MHz |
| ● Utilisation optimale de 0,4 GHz à 1,5 GHz |
| ● Petite taille de boîtier : 2,0 x 2,0 x 0,75 mm3 |
| ● Alimentation unique 5 V |
| ● ESD 250 V HBM |
| ● MSL : niveau 1 |
| ● Partagez le même package et la même configuration de broches avec l'utilisation de l'AL34 de 1,5 GHz à 2,4 GHz. |
Amplificateur à faible bruit AL33 GaAs MMIC
L'AL33 de Sanland est un amplificateur à faible bruit (LNA) GaAs MMIC économique et facile à utiliser. Le LNA présente un faible bruit et une linéarité élevée obtenue grâce à l'utilisation du processus pHEMT en mode d'amélioration GaAs de 0,5 um. Il est logé dans un boîtier miniature Quad-Flat-Non-Lead (QFN) à 8 broches de 2,0 x 2,0 x 0,75 mm3. Il est conçu pour une utilisation optimale de 400 MHz à 1,5 GHz. L'encombrement compact et le profil bas associés à un faible bruit, un gain élevé et une linéarité élevée font de l'AL33 un choix idéal en tant qu'amplificateur à faible bruit pour l'infrastructure cellulaire pour GSM et CDMA.
| Taper | En aval |
| Fréquence minimale (GHz) | 0,4 |
| Fréquence maximale (GHz) | 1,5 |
| Gain (dB) | 19.4 |
| Perte de retour d'entrée (dB) | -16 |
| Perte de retour de sortie(dB) | -12 |
| NF(dB) | 0,4 |
| Tension (V) | 5 |
| Courant (mA) | 135 |
| Type d'emballage | QFN |
| RoHS | Oui |
| Sans plomb | Oui |
| Sans halogène | Oui ou non |
Applications majeures
Caractéristiques électriques pour l'application
| Paramètre | spécification | Unités | Remarques | ||
| Min. | Typ. | Max. | |||
| Fréquence | 0,4 | 1,5 | GHz | ||
| Gagner | 17.5 | 20.3 | 21 | 800 MHz | |
| 19.7 | 850 MHz | ||||
| 19.4 | 900 MHz | ||||
| P-1dB | 20 | 22.1 | 800 MHz | ||
| 20 | 22.1 | 850 MHz | |||
| 20 | 22.2 | 900MHz | |||
| OIP3 | 33 | 34,5 | 800 MHz | ||
| 33 | 34,8 | 850 MHz | |||
| 33 | 35 | 900 MHz | |||
| Saisir retour perte | -15 | -dix | 800 MHz | ||
| -15 | -dix | 850 MHz | |||
| -16 | -dix | 900MHz | |||
| Sortir retour perte | -12 | -dix | 800MHz | ||
| -12 | -dix | 850 MHz | |||
| -12 | -dix | 900 MHz | |||
| NF | 0,4 | 0,55 | 800MHz | ||
| 0,4 | 0,55 | 850 MHz | |||
| 0,4 | 0,55 | 900 MHz | |||
| Isolation inversée | -28 | 800MHz | |||
| -27 | 850 MHz | ||||
| -27 | 900 MHz | ||||
| Vs | 5 | 5.5 | V | ||
| IC | 40 | 55 | 80 | mA | |
| Conditions de test : VDD = 5 V, IDD = 55 mA Typ. Espacement des tonalités OIP3 = 1 MHz, Pout par tonne = +5 dBm TL=25℃, ZS=ZL=50 Ohms | |||||
