Principales caractéristiques
| ● Plage de fréquences de fonctionnement de 50 à 1 018 MHz |
| ● Gain de 42 dB |
| ● Plage de gain dynamique élevée, plage de contrôle de gain de 34 dB |
| ● Prise en charge de la plage optique de 20 dBm Alimentation unique, alimentation unique + 5 V |
| ● Tension de commande AGC 0-3 V |
| ● Faible consommation d'énergie, 210 mA pour une sortie RF à une tension d'alimentation de 5 V |
|
● Boîtier QFN4X4-24L sans plomb/conforme RoHS |
Amplificateur à gain variable AVG1012
L'AVG1012 de Sanland est un amplificateur à gain variable avec atténuateur. L'amplificateur a une linéarité élevée obtenue grâce à l'utilisation du mode d'amélioration GaAs 0,5 um Processus PHEMT. Il est logé dans un boîtier miniature Quad-Flat-Non-Lead (QFN) à 24 broches de 4,0 x 4,0 mm. Il est conçu pour une utilisation optimale de 0,05 GHz à 1 018 MHz. L'encombrement compact et le profil bas associés à un gain élevé et une linéarité élevée font de l'AVG1012 un choix idéal comme amplificateur pour les réseaux CATV et FTTH.

| Taper | En aval |
| Fréquence minimale (GHz) | 0,05 |
| Fréquence maximale (GHz) | 1.0 |
| Gain (dB) | 42 dB |
| OSC(dBc) | -63 |
| CTB(dBc) | -70 |
| NF(dB) | 1,5 |
| Tension (V) | 5V |
| Courant (mA) | 190 |
| Type d'emballage | QFN |
| RoHS | Oui |
| Sans plomb | Oui |
| Sans halogène | Oui ou non |
Applications majeures
Caractéristiques électriques pour l'application :
| Paramètre | spécification | Unités | Remarques | ||
| Min. | Tapez- | Max. | |||
| Gagner | - | 42 | - | dB | 50-1018 MHz |
| Plage de contrôle du gain | - | 34 | - | dB | 0-34 |
| Tension de contrôle CAG | 0 | - | 3 | V | |
| Perte de retour de sortie | - | -15 | - | dB | 50-1018 MHz |
| CTB | - | 70 | - | dB | Test à la puissance d'entrée optique-8dBm. 60 canaux PAL-D DS22.OMI=3,5% par canal |
| OSC | - | 63 | - | dB | |
| CNR | - | 44 | - | dB | |
| MER | - | 38 | - | dB | Résultats des tests utilisant un signal numérique 99CH. Puissance d'entrée optique-8dBm, 2560AM |
| VDD | - | 5 | - | V | - |
| JDD | 190 | 210 | 230 | mA | Vjj = 5,0 V |
| Conditions de test : VDD=5V, IDD=210mA | |||||
| TL = 25 ℃, ZL = 75 Ohms, fréquence : 0,05 à 1 018 MHz | |||||
