Caractéristiques principales
● Fonctionnement à large bande de 0 à 3,5 GHz
● Gain typique de 24,5 dB à 1 GHz
● Facteur de bruit de 2,7 dB à 1 GHz
● Puissance de sortie de 9,8 dBm (P1dB) à 1 GHz
● Alimentation unique de 5 V
●Courant typique de 25 mA
● ROS < 2.0
● Inconditionnellement stable
●Boîtier compact SOT-363
● Technologie pHEMT GaAs
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